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2N7002PV,115

更新时间:2025-05-11 13:41:11
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NC7S04M5X74LVC125ADBTDA7021TLC4032V-75TN48CAP4920GMS-1112B30MC-L6P-TFSMAJ14ATPS62611YFDR
2N7002PV,115的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N7002PV,115外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：350mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V
  • 功率 - 最大：330mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-666
  • 包装：带卷 (TR)
芯知识
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