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2N7002T-F

更新时间:2025-06-02 08:22:42

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2N7002T-F 概述

2N7002T-F是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，典型导通电阻Rds(on)在4.5V栅极电压下为0.9Ω。该器件适用于低功耗和高速开关应用。常见应用场景包括负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器以及信号放大等。由于其小尺寸和高效能特点，在便携式设备如手机、平板电脑和其他手持设备中广泛应用。使用时应注意保证栅极驱动电压足够以确保可靠开启，同时在PCB布局上尽量缩短源极和漏极走线以减少寄生电感影响。对于需要更高电流能力的应用场合，可考虑并联多个该型号MOSFET。

芯知识

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