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2N7224U

更新时间:2025-06-19 14:22:12

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2N7224U 概述

2N7224U是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。其最大漏源电压为30V，在10V栅极驱动下的典型导通电阻仅为25mΩ，可有效降低功率损耗。主要应用于直流-直流转换器、负载开关、电源管理模块等场景。在便携式电子设备中尤为常见，如智能手机和平板电脑的电源管理系统。由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，也适合用于空间受限的设计。使用时需注意遵循推荐的PCB布局指南以确保良好散热。建议在栅极串联适当阻值的电阻来控制开关速度并减少EMI干扰。在电路设计中，通常与同步整流MOSFET配合使用以实现高效能量转换。

2N7224U 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
81 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
125 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-267AB
封装/外壳
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芯产品

4.2万

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