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2N7335

更新时间:2025-05-19 07:55:41

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2N7335 概述

2N7335是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换应用。其最大漏源电压(Vds)为60V，在室温下连续漏极电流(Id)可达12A。这款MOSFET常用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。在实际应用中建议注意散热设计，以确保器件工作在安全温度范围内。典型应用电路包括同步整流降压转换器，其中2N7335可用作低压侧开关，配合上拉电阻连接到栅极控制信号，以实现高效电能转换。使用时应注意栅极驱动电压的选择，保证完全开启状态下的最佳性能表现。

2N7335 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 个 P 通道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
MO-036AB

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