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2SB772T

更新时间:2024-04-30 11:37:19
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  • 厂家：TD
  • 描述：Dated : 16/09/2016 Rev:02 TOP DYNAMIC E B C 2SB772T PNP Silicon Epitaxial Power Transistor These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 30 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) -I C -I CP 3 7 A A Base Current - DC -I B 0.6 A Total Power Dissipation P tot 10 1 W Operating and Storage Junction Temperature Range T j , T stg - 65 to + 150 O C 1) PW = 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 % Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 2 V, -I C = 20 mA at -V CE = 2 V, -I C = 1 A Current Gain Group R Q P
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