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2SC2712GT1G

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2SC2712GT1G外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.15 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：80 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SC-59-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：0.15 A
  • 功率耗散：0.2 W
  • 工厂包装数量：3000
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