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2SC5551AE-TD-E

更新时间:2025-07-10 22:28:18
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2SC5551AE-TD-E外观图

2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor RF 晶体管 (BJT)

TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

  • 封装:TO-243AA
2SC5551AE-TD-E 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • 频率 - 转换
    3.5GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    -
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    1.3W
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    90 @ 50mA，5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    300mA
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    PCP
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
1.3万
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广东微尔科技有限公司
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