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2SD1815S-E

更新时间:2025-07-11 19:33:31
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2SD1815S-E外观图

2SD1815S-E

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN BIPO 3A 100V TP

  • 封装:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
2SD1815S-E 规格参数
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 150mA，1.5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    70 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    180MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
  • 供应商设备封装
    TP
  • 包装
    散装
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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