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2SD1816T-TL-E

更新时间:2025-07-07 21:55:36
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2SD1816T-TL-E外观图

2SD1816T-TL-E

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN HI CURR 100V 4A TP-FA

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
2SD1816T-TL-E 规格参数
  • 标准包装
    700
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    200 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    180MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    2-TP-FA
  • 包装
    带卷 (TR)
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