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2SD2018

更新时间:2025-07-03 20:10:20
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2SD2018 规格参数
  • 数据列表
    2SD2018 View all Specifications
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.8V @ 1mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    6500 @ 1A，10V
  • 功率 - 最大
    5W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-225AA，TO-126-3
  • 供应商设备封装
    TO-126B-A1
  • 包装
    散装
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