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2SJ458-DL

更新时间:2025-06-18 20:14:23

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2SJ458-DL 概述

2SJ458-DL是东芝（Toshiba）生产的一款P沟道MOSFET功率晶体管，适用于中低功率应用。该器件采用DPAK（TO-252）封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，使其在电源管理、负载开关及电机驱动等电路中表现出色。其最大漏极电流可达-3.6A（25°C条件下），栅源电压为±20V。由于具备良好的热稳定性和较小的封装尺寸，2SJ458-DL非常适合于紧凑型设计，如笔记本电脑、手机充电器和其他便携式电子设备中的电源转换电路。在实际应用时，需注意散热设计以保证器件长期可靠工作，并且要合理选择栅极驱动电阻以优化开关性能。

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