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2SJ583 LS

更新时间:2025-06-13 08:22:18

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2SJ583 LS 概述

583 LS是东芝（Toshiba）公司生产的一款P沟道功率MOSFET。它采用先进的LS（Low-Silicon）工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏极-源极电压Vds为-60V，在室温下最大连续漏极电流Id为-7A。它适用于多种电源管理应用，如直流-直流转换器、电池供电设备以及电机驱动控制电路中。在实际应用中，使用2SJ583 LS时应注意其散热设计，确保工作温度不超过额定值以保障性能稳定。由于其低栅极电荷特性，可以实现高效的高频操作。在进行PCB布局时，尽量减小栅极走线长度以减少寄生电感对开关性能的影响。如果用于电机驱动，需考虑并联合适的续流二极管以保护MOSFET免受反向电动势冲击。

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