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2SK198-Q(TX)

更新时间:2025-06-17 07:10:36

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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2SK198-Q(TX) 概述

2SK198-Q(TX)是东芝公司生产的N沟道MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性。该MOSFET适用于多种模拟开关电路，在信号切换、电源管理等领域表现良好。例如在电池供电设备中可用于负载开关或信号路由。使用时应注意其最大漏极 - 源极电压为50V，避免超出此范围以防止器件损坏。在电路设计中，确保栅极驱动电压足够使MOSFET完全导通，并且要注意散热设计，虽然SOT - 23封装体积小，但过热会影响其性能和寿命。

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