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2SK3666-2-TB-E

更新时间:2025-05-19 04:49:44
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2SK3666-2-TB-E外观图

2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor JFET（结点场效应

IC JFET N-CH 30V 10MA CP

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2SK3666-2-TB-E 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    600µA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    10mA
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    -
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    180mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4pF @ 10V
  • 电阻 - RDS（开）
    200 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    3-CP
  • 功率 - 最大
    200mW
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