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2SK3767(Q)

更新时间:2025-06-21 12:53:30
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2SK3767(Q) 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    600 V
  • 闸/源击穿电压
    30 V
  • 漏极连续电流
    2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    4.5 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220SIS
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    18 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    250 W
  • 上升时间
    40 ns
  • 工厂包装数量
    50
  • 典型关闭延迟时间
    48 ns
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