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2V7002KT1G

更新时间:2025-05-15 20:20:09

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说明
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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2V7002KT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

2V7002KT1G 概述

2V7002KT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为20V，最大栅源电压(VGS)为±8V。典型应用包括负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器等需要高效功率管理的场合。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，2V7/XMLSchema02KT1G常用于优化电源路径管理，减少能量损耗并延长电池续航时间。使用时需注意避免超过最大额定值，并合理设计PCB布局以确保良好散热。

2V7002KT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
320mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
24.5pF @ 20V
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23
包装
带卷 (TR)
其它名称
2V7002KT1G-ND2V7002KT1GOSTR

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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