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3LN01C-TB-H

更新时间:2025-05-28 01:24:31
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3LN01C-TB-H外观图

3LN01C-TB-H

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
3LN01C-TB-H 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    150mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.7 欧姆 @ 80mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    7pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    250mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    3-CP
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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