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3LN01S-TL-E

更新时间:2023-05-29 13:57:39
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3LN01S-TL-EPDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：150mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.7 欧姆 @ 80mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7pF @ 10V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装：SMCP
  • 包装：带卷 (TR)
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