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3N163

更新时间:2025-07-04 06:35:49

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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3N163 概述

3N163是一款由Motorola（摩托罗拉）公司生产的锗合金晶体管，属于早期的功率晶体管类型。它主要用于低频功率放大和开关应用中。该晶体管的最大集电极-发射极电压为40V，在特定条件下的集电极最大电流可达1A左右，适用于音频放大器等电路中作为功率放大级使用。在实际应用中，由于它是锗材料制成，其温度稳定性相对较差，所以在高温环境下需要注意散热设计以保证正常工作。对于一些对功耗要求不高且需要处理较大电流信号的模拟电路，如简单的收音机功率放大、低频信号放大等场景下可以选用此款晶体管。不过现在更常用的是硅材料的晶体管，因为它们具有更好的性能和稳定性。

3N163 规格参数

制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
40 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
0.05 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
250000 mOhms at 20 V
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-206AF
封装
Bulk
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
375 mW
上升时间
13 ns
工厂包装数量
200
典型关闭延迟时间
25 ns

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