采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

... 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 mΩ-nC，而在 10 V 时为 117.60 mΩ-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规...
Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件SiS426DN和SiR496DP

...中SiS426DN器件采用尺寸3mm×3mm的PowerPAK 1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN而言，直流到直流转换器中针对MOSFET的此关键优值(FOM)在4.5V时为76.6mΩ-nC，而在10V时为117.60mΩ-nC；它在4.5V栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nC，在10V栅极驱动时低至28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5V及10V时栅极电荷分...
负载开关：按需要提供高效电源

...电平变换作用(b)。一直积极从事开发分立功率MOSFET和封装技术的公司有国际整流器公司(IR)和飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)。IR公司的20V、5.1A的IRF6100 PMOS器件的沟道电阻在VGS 为-4.5V时为65mW，在VGS为-2.5V时增大到95mW。售价为0.35美元（批量1,000件）的IRF6100，采用边长只比1.5mm稍大的4球CSP封装，其最大连续漏极电流在70℃温度下为3.5A（图2）。图 2IR公司把一个20V...
VishaySiliconix推出了首款采用TurboFET™技术的第三代功率MOSFET

... 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 m?-nC，而在 10 V 时为 117.60 m?-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 1...
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET采用TurboFET技术

...件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 m-nC，而在 10 V 时为 117.60 m-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V...

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