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4N60L-E

更新时间:2025-05-25 11:04:20

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4N60L-E 概述

4N60L-E是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高频开关电源应用。其低导通电阻和快速开关特性使其在DC-DC转换器、逆变器以及各种电源管理电路中表现出色。典型应用场景包括笔记本电脑适配器、LED驱动器和谐振变换器等。在设计过程中，建议关注栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET。推荐使用10V以上的栅极电压来降低导通损耗。同时，在PCB布局时应尽量减小源极电感以减少开关损耗并提高整体效率。对于热设计，合理利用散热片或优化散热路径有助于提升系统可靠性。

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