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其它信息:
低功率CMOS工艺;‘A’版本装置512×8位结构(无ORG);‘B,版本装置256×16位结构(无ORG);自定时擦/写周期;在执行指令WRAL(全部写入)之前自动执行ERAL(全部擦除)指令;电源开/关数据保护电路;符合工业标准的3线串行I/O;设备状态信号(Ready/Busy);有序的读出功能;保证1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;可用温度范围:-40~+85℃/-40~+125℃;VCC范围:4.5~5.5V;ORG引脚:无;字大小:16位;引脚分布:标准;温度范围:-40~+85℃;引脚镀层:无铅-锡
引脚图: