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ALD1101PA

更新时间:2025-05-26 03:15:13
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ALD1101PA 规格参数
  • 制造商
    Advanced Linear Devices
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 12 V
  • 闸/源击穿电压
    13.2 V
  • 漏极连续电流
    40 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    75 Ohms
  • 配置
    Dual
  • 最大工作温度
    + 70 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    PDIP-8
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    0.01 S
  • 最小工作温度
    0 C
  • 功率耗散
    500 mW
  • 工厂包装数量
    50
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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