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ALD114913SAL

更新时间:2025-05-23 18:31:29
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ALD114913SAL 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    EPAD®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    10.6V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    12mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    500 欧姆 @ 2.7V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.26V @ 1µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOIC
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    1014-1066
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