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ALD212900PAL

更新时间:2025-06-04 13:27:46
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ALD212900PAL 规格参数
  • 现有数量
    22现货
  • 系列
    EPAD?, Zero Threshold?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N 沟道（双）配对
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    10.6V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    80mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    14 欧姆
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    20mV @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    30pF @ 5V
  • 功率 - 最大值
    500mW
  • 工作温度
    0°C ~ 70°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    8-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商器件封装
    8-PDIP
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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