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AO4800B

更新时间:2025-07-04 22:48:07

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AO4800B 概述

AO4800B是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻特性，有助于减少功耗并提高效率。其最大漏极-源极电压为-30V，在室温下最大连续漏极电流可达-7.5A。它适合用于便携式设备、电源管理以及负载开关等应用中。在实际应用中，AO4800B常被用作电池充电电路中的负载开关或者DC-DC转换器的同步整流管。由于是P沟道MOSFET，在电路设计时需注意其栅极驱动电压相对于源极电压的关系以确保正确开启和关断。例如在负载开关电路中，通过控制栅极电压来实现对负载供电的通断控制，要注意选择合适的驱动电阻值以匹配开关速度和功耗要求。

AO4800B 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫欧 @ 6.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 15V
功率 - 最大
1.9W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOIC
包装
Digi-Reel?
其它名称
785-1053-6

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