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AO6602G

更新时间:2025-06-05 06:46:22
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AO6602G 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.5A（Ta），2.7A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    50 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    4.05nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    210pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    1.15W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商器件封装
    6-TSOP
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
AO6602G推荐型号
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