AOB66613L是由Alpha & Omega Semiconductor公司生产的一款高性能MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压为30V，适合在低压高频DC-DC转换器中使用，如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统。该MOSFET封装形式为DFN3x3，这种紧凑型封装不仅节省了电路板空间，还提高了热性能。在实际应用中，建议设计者注意PCB布局以优化散热效果，并确保驱动电路能够提供足够的栅极电荷来实现快速开关，从而减少开关损耗。此外，在选择栅极电阻时应考虑EMI兼容性，避免过高的dV/dt引起干扰。

AOB66613L 规格参数

现有数量
5,153现货
系列
AlphaSGT?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44.5A（Ta），120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5300 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8.3W（Ta），260W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2Pak）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

2.6万

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广东微尔科技有限公司

AOB66613L推荐型号

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AOB66613L

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