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AOD424G

更新时间:2025-05-30 10:12:18

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AOD424G 概述

AOD424G是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。该器件的最大漏源电压为30V，在10V栅极驱动下的导通电阻仅为20mΩ。由于其出色的热性能和电气特性，广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电源管理模块等场合。在使用时应注意遵循正确的栅极驱动电压范围以确保最佳性能，并且在布局PCB时要考虑到散热设计以维持长期稳定工作。对于需要紧凑尺寸和高效能的便携式设备或消费电子产品来说，这是一个理想的选择。

AOD424G 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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