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AOD442G

更新时间:2025-05-16 16:39:53

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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AOD442G 概述

AOD442G是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。它通常用于直流-直流转换器、负载开关以及电源管理电路中。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，AOD442G能够高效地控制电源分配并减少能量损耗。其最大漏源电压为30V，适合低压系统使用。封装形式为SOP-8，这种小型封装有助于节省电路板空间，提升设计灵活性。在实际应用中，需确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET，并且注意散热设计以维持稳定工作温度。

AOD442G 规格参数

现有数量
291,196现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1920 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

2.6万

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广东微尔科技有限公司

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