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AOE6932

更新时间:2025-06-18 00:22:37
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AOE6932 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    55A（Tc），85A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    5 毫欧 @ 20A，10V，1.4 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA，1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15nC @ 4.5V，50nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1150pF @ 15V，4180pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    24W，52W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装
    8-DFN（5x6）
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
AOE6932推荐型号

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