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AON2290

更新时间:2025-05-23 19:06:40

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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-/-
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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惠州市利湾智能科技有限责任公
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70000
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只做原装价一赔亿挂了就有货

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深圳市君云达电子科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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AON2290 概述

AON2290是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏极-源极电压为-20V，在10V栅极驱动下的导通电阻典型值为4.5mΩ。AON2290广泛应用于负载开关、电源管理以及电池供电设备等场景。在便携式电子设备中，如智能手机和平板电脑，它能有效降低功耗并提高系统效率。使用时需注意正确的栅极驱动电压范围以确保可靠导通与关断，避免因过压导致的器件损坏。电路设计时可将其放置在电源路径上作为开关元件，并搭配合适的限流和保护电路以增强系统稳定性。

AON2290 规格参数

现有数量
292,804现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
415 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DFN（2x2）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘

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广东微尔科技有限公司

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