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AON2403

更新时间:2025-05-18 02:46:23

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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105000
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AOS/万代
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市鹏先达电子有限公司
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AON2403 概述

AON2403是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其最大漏极-源极电压（Vds）为30V，在连续漏极电流（Id）方面可达到15A（在特定条件下）。它常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关等场合。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，AON2403有助于提升电池使用效率并减小设备尺寸。在实际应用时应注意正确选择栅极驱动电压以确保完全开启MOSFET，并且要考虑到散热设计以保证器件稳定工作。

AON2403 规格参数

现有数量
3,035现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DFN（2x2）
封装/外壳
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