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AON3419

更新时间:2025-05-20 22:24:05

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳智睿捷科技有限公司
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深圳市亿创微芯电子有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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AON3419 概述

AON3419是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的P沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下典型Rds(on)值为20mΩ。其最大漏极-源极电压（Vds）为-30V，适合在中低压应用环境中使用。它通常应用于负载开关、电源管理以及便携式设备的电池保护电路中。在实际应用时，由于其低导通损耗的优点，可以有效提高系统效率。设计电路时需注意保证栅极驱动电压足够以确保MOSFET充分开启。例如在电池保护电路里，可将其与控制电路配合使用来实现过流、过压保护功能。同时要关注散热设计，避免因功率过大导致器件过热损坏。

AON3419 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1040 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（3x3）
封装/外壳
8-SMD，扁平引线

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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