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AON6162

更新时间:2025-11-04 16:13:56

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AON6162 概述

AON6162是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道MOSFET。它采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为30V，适用于高效直流-直流转换器、负载点转换器等电源管理应用中。在同步整流电路里表现卓越，能够显著降低功耗并提高效率。其小尺寸封装便于高密度PCB布局，在消费电子如手机充电器、笔记本电脑适配器等领域广泛应用。使用时需注意栅极驱动电压要足够以确保完全开启，且散热设计要合理避免过热。

AON6162 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
AlphaSGT?
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4850 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
215W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

芯知识

2.1万

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