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AON6312

更新时间:2025-06-17 21:56:57

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
AON6312
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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提供BOM一站式配单服务

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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公司现货订货免费提供样品技术支持

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深圳市华普冠科电子科技有限公
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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AON6312 概述

AON6312是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道MOSFET。该器件采用先进的功率芯片技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效电源管理应用。其典型应用场景包括直流-直流转换器、负载点（POL）转换器以及电池供电设备中的电源管理电路。在实际应用中，AON6312常用于同步整流电路中，以提高系统效率。例如，在一个典型的降压（Buck）转换器设计中，可以将AON6312作为低边MOSFET使用，配合高边MOSFET实现高效的电压转换。使用时应注意正确选择栅极驱动电阻，以优化开关速度并减少EMI干扰。此外，为确保最佳性能，应遵循制造商推荐的PCB布局指南，特别是对于源极和漏极端子之间的连接路径，需尽量减小寄生电感影响。

AON6312 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.85 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

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苏州固锝电子股份有限公司

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