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AON6405

更新时间:2025-05-25 03:46:41

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AON6405 概述

AON6405是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN5x6封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型值为7.5mΩ，这有助于降低导通损耗。其最大漏源电压（VDS）可达30V，适用于多种电源管理应用。常见应用场景包括直流-直流转换器、负载开关以及电池供电设备中的电源管理电路等。在实际应用中，由于其低导通电阻和小封装尺寸特点，特别适合于对效率和空间要求较高的便携式电子设备如智能手机和平板电脑等。使用时要注意保证栅极驱动电压足够以确保MOSFET完全开启，并且注意散热设计以避免过热损坏。

AON6405 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

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