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AON6506

更新时间:2025-05-21 14:07:53

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封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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AON6506 概述

6506是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏源电压为30V，适合在直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备中使用。由于其卓越的热性能和紧凑的封装设计，AON6506能够在空间受限的设计中提供高效的能量转换解决方案。在实际应用中，建议注意栅极驱动电路的设计以确保最佳的工作效率，并且要充分考虑散热设计以维持器件的长期可靠性。对于高频率开关电源设计，可以参考相关应用笔记优化PCB布局以减少寄生电感影响。

AON6506 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Ta），36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2719 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.2W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

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