6562是Alpha and Omega Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET。它采用DFN5x6封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效的电源管理应用。该MOSFET在笔记本电脑、平板电视和其他消费类电子产品中的DC-DC转换器和负载开关电路中表现出色。在实际应用中，AON6562通常用于需要高效能电源管理的场景，如适配器、充电器等设备。使用时需注意其最大漏极电流为30A，确保不超过该值以避免损坏器件。设计电路时，建议根据具体需求选择合适的栅极驱动电阻，以优化开关速度并减少EMI干扰。对于负载开关应用，可将其与控制器配合使用，实现精确的功率控制和保护功能。

AON6562 规格参数

现有数量
0现货
系列
AlphaMOS
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1550 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6W（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘

芯知识

2.1万

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广东微尔科技有限公司

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AON6562

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