AON6590A是由Alpha and Omega Semiconductor公司生产的N沟道增强型MOSFET。它采用DFN5x6封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅源电压下典型值为7.3mΩ，这有助于降低导通损耗，提升电源转换效率。该MOSFET适用于多种应用场景，如直流 - 直流转换器、电池管理电路以及负载开关等。在实际应用中，使用时要注意其最大漏极 - 源极电压为-20V，连续漏极电流为-18A（环境温度25℃情况下）。在设计电路时，要确保栅极驱动电压能够满足开通要求，并且要考虑到散热问题，例如合理布局散热焊盘，以保证器件可靠工作。对于高频DC - DC转换器应用，其较快的开关速度也有助于提高整体转换效率。

AON6590A 规格参数

现有数量
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系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
67A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.99 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8320 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
7.3W（Ta），208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线

芯知识

2.1万

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广东微尔科技有限公司

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AON6590A

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