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AOTE21115C

更新时间:2025-06-21 16:29:41
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AOTE21115C 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 P 沟道（双）共漏
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5.1A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    40 毫欧 @ 5.1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    17nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    930pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1.5W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-TSSOP
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
AOTE21115C推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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