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AP15G03DF

更新时间:2025-05-20 13:51:06

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AP15G03DF 概述

AP15G03DF是由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET。该器件采用DFN1006封装，具有超小型尺寸，非常适合空间受限的应用。其最大漏源电压为-30V，导通电阻低，在4.5V栅极驱动下典型值为0.037Ω，有助于减少功耗。这款MOSFET适用于电池管理、负载开关和电源管理等应用场合。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，它能够高效地控制电源通断。由于其小尺寸和高效率特点，也被广泛应用于无线耳机、智能手表等可穿戴设备的电源路径管理电路中。使用时应注意不要超过其额定电压和电流，避免静电损坏，并确保散热良好以维持稳定工作性能。

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