AP280N04P是Alpha and Omega Semiconductor公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的功率MOS工艺制造,具有低导通电阻特性,在4.5V栅极驱动下典型导通电阻仅为30mΩ。其最大漏极-源极电压为40V,适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等应用场合。在电池供电设备中,它能有效降低功耗提高效率。使用时应注意其最大工作结温不超过150℃,并根据实际电路需求合理选择栅极驱动电阻值以优化开关性能。在PCB布局上应尽量减小源极引脚的走线电感,有助于提升EMI性能。