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AP50P02DF

更新时间:2025-08-17 07:27:09

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AP50P02DF 概述

AP50P02DF是由Diodes Incorporated生产的功率MOSFET。该器件采用DFN333封装，具有低导通电阻和高效率特性，适用于紧凑型电路设计。其主要参数包括最大漏源电压为20V，连续漏极电流能力达到5.8A，适合高频开关应用。典型应用场景涵盖智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理电路中，如负载开关、DC-DC转换器以及电池充电管理模块。在实际使用时，需注意PCB布局以优化散热性能，并遵循制造商推荐的栅极驱动条件以确保可靠工作。对于需要高效能和小尺寸解决方案的设计项目，AP50P02DF是一个理想选择。

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