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AP7N50D

更新时间:2025-06-25 07:54:27

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AP7N50D 概述

AP7N50D是来自台湾厂商Alpha Power旗下的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为500V，能满足大多数高压电源转换需求。典型应用场景包括交流-直流适配器、LED照明驱动器、PC电源、服务器电源等需要高效功率转换的场合。在电路设计中，建议关注其栅极驱动要求，确保栅极电压足够以实现最低导通电阻。同时应注意适当的散热设计，以保证器件工作温度在安全范围内。这款MOSFET适合用作初级侧开关管，能有效提高电源的整体效率。在使用时要注意避免超过最大额定值，并遵循推荐的PCB布局指导以优化性能。

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