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AP80N04D

更新时间:2025-06-07 05:23:28

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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台产
TO2523L/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

现代芯城（深圳）科技有限公司
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75000
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深圳市创胜达电子有限公司
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30000
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深圳市集达胜电子科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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AP80N04D 概述

AP80N04D是P沟道增强型MOSFET，由Alpha & Omega Semiconductor公司生产。该器件采用先进的功率芯片工艺制造，具有低导通电阻特性，在栅极 - 源极电压为 - 4.5V时，最大导通电阻仅为8mΩ（典型值），这有助于减少导通损耗。其最大漏极 - 源极电压为 - 40V，适用于各种中低压应用场景。在实际应用中，它常被用于电源管理电路中的负载开关、电池保护电路等。例如，在便携式电子设备的电源管理系统里，可用于控制电源的开启与关闭，以达到节能的目的。使用时需要注意驱动电压要满足要求以确保MOSFET充分导通，并且要注意散热设计，避免因过热而影响性能或造成损坏。

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