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AP9T18GEH

更新时间:2025-05-27 20:51:55

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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深圳市华美锐电子有限公司
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原装进口现货，假一赔十，价格优势

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AP9T18GEH 概述

AP9T18GEH是威世半导体(Vishay)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用PolarPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用包括负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等需要高效功率控制的场合。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中，AP9T18GEH常被用于电池管理和充电电路中，以实现高效的能量传输和分配。设计时应注意保证栅极驱动电压足够高以确保MOSFET充分开启，减小导通损耗。同时，在布局PCB时应尽量缩短源极和漏极之间的引线长度，减少寄生电感的影响。对于高频应用，还需考虑适当的散热措施，尽管PolarPAK封装有助于改善热性能。

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