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APG60N10P

更新时间:2025-06-22 15:43:08

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APG60N10P 概述

APG60N10P是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为100V，适用于高效电源转换应用。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、直流-直流转换器以及电机驱动等需要高效率和高可靠性的场合。在电路设计中，可以利用其低栅极电荷实现快速开关，减少开关损耗。建议在使用时注意PCB布局以优化散热性能，确保良好的电气连接。此外，在高频应用中需考虑适当的栅极电阻值来抑制振荡现象。根据具体的应用需求选择合适的散热方式和驱动电路参数配置，能够充分发挥这款MOSFET的性能优势。

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