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APT14M100B

更新时间:2025-06-13 00:04:05

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
APT14M100B
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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APT14M100B 概述

APT14M100B是由Microsemi公司生产的功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为0.077欧姆，这有助于减少导通损耗，提高效率。其最大漏源电压（VDSS）为100V，连续漏极电流（ID）在25℃下可达30A。这款MOSFET适用于多种电源管理应用，如直流-直流转换器、不间断电源系统以及电机驱动等场合。在电机驱动电路中，它能够高效地控制电机的转速和方向。使用时需要注意散热设计，确保工作温度不超过额定范围。在实际电路设计中，通常需要并联一个适当的栅极电阻来限制栅极充电电流，防止过冲损坏MOSFET。同时要注意PCB布局以减小寄生电感对开关性能的影响。

APT14M100B 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
POWER MOS 8™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
900 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3965pF @ 25V
功率 - 最大
500W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247 [B]
包装
管件
其它名称
APT14M100BMPAPT14M100BMP-ND

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