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APT29F80J

更新时间:2025-07-13 03:50:35
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • APT29F80J

    APT29F80J

  • 1008

  • MICROCHIP(MICROSEMI)

  • MODULE/24+

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APT29F80J 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    POWER MOS 8™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    31A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    210 毫欧 @ 24A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    303nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    9326pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    543W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    ISOTOP?
  • 包装
    管件
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